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隨著 5G 通訊、新能源汽車、快充等新興行業(yè)應(yīng)用對(duì)功率元器件效能需求的不斷提高，第一代半導(dǎo)體材料硅（Si）、鍺（Ge）以及第二代半導(dǎo)體材料砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）對(duì)于溫度、頻率、功率已達(dá)極限，難以應(yīng)用在更嚴(yán)苛環(huán)境上，因而第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運(yùn)而生。

第三代半導(dǎo)體是指以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鋅（ZnO）、金剛石、氮化鋁（AIN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)體元器件。

碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）是目前發(fā)展較為成熟的第三代半導(dǎo)體材料，被稱為第三代半導(dǎo)體材料的“雙雄”。

第三代半導(dǎo)體材料具有更寬的禁帶寬度、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速率高、抗輻射能力強(qiáng)等諸多優(yōu)勢(shì)。與第一代、第二代傳統(tǒng)材料相比，第三代半導(dǎo)體材料更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件，比硅基器件更輕、更小巧，主要應(yīng)用于光電、電力電子、和微波射頻三大領(lǐng)域，比如Mini/Micro LED、快充、新能源汽車和5G基站等行業(yè)。

在新能源汽車、工業(yè)互聯(lián)、5G通信、消費(fèi)類電子等多重需求的強(qiáng)力拉動(dòng)下，第三代半導(dǎo)體的市場(chǎng)規(guī)模高速增長。在未來，射頻和功率半導(dǎo)體全球市場(chǎng)上，第三代半導(dǎo)體無疑會(huì)是重要主角之一。

2019年我國第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模約為94.15億元,據(jù)預(yù)測(cè),到2022年我國第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到623.42億元。2021年我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三業(yè)規(guī)模占比分別為43.2%、30.4%、26.4%，若按此比例推算，2022年我國第三代半導(dǎo)體封測(cè)市場(chǎng)約為162億元。

TrendForce預(yù)測(cè)，2025年全球功率半導(dǎo)體元件及模組市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)274 億美元，其中第三代半導(dǎo)體SiC/GaN 市場(chǎng)占比從2021 年不到5%，擴(kuò)大至2025 年約17%，約47億美元。

根據(jù) WSTS的最新數(shù)據(jù)，2021年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)達(dá)到5529億美元，其中封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)618億美元，占比約11%。

若保守按11%計(jì)算，2025年全球第三代半導(dǎo)體封測(cè)市場(chǎng)，SiC/GaN 市場(chǎng)占比達(dá)6億美元。

根據(jù)SEMI的數(shù)據(jù)，2022年，全球封裝設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)72.9億美元，同比增長4.29%；全球測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)81.7億美元，同比增長4.88%。

第三代半導(dǎo)體封裝工藝的變革，必然會(huì)帶動(dòng)封測(cè)設(shè)備的升級(jí)，大幅度推動(dòng)先進(jìn)封測(cè)設(shè)備需求市場(chǎng)規(guī)模擴(kuò)大。

對(duì)于第三代半導(dǎo)體企業(yè)來說，成本和可靠性是產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)無法回避的新挑戰(zhàn)，就封測(cè)環(huán)節(jié)而言，先進(jìn)的封裝技術(shù)和封測(cè)設(shè)備是降本增效、提升良率的兩大關(guān)鍵。

隨著終端系統(tǒng)產(chǎn)品多任務(wù)、小體積的發(fā)展趨勢(shì)，集成電路封裝技術(shù)趨于高密度、高腳位、薄型化、小型化發(fā)展，對(duì)封測(cè)設(shè)備提出了更高的要求。

盡管第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料較傳統(tǒng)的Si材料，在材料性能上有很大的優(yōu)勢(shì)，但是目前傳統(tǒng)的功率器件封裝技術(shù)都是為Si基功率器件設(shè)計(jì)的，將其用于第三代半導(dǎo)體功率器件時(shí)，會(huì)在使用頻率、散熱、可靠性等方面帶來新的挑戰(zhàn)，更先進(jìn)的封裝技術(shù)對(duì)推動(dòng)第三代半導(dǎo)體發(fā)展有舉足輕重的作用。

碳化硅（SiC）襯底是莫氏硬度達(dá)9.2的高硬度脆性材料，因而在晶圓制備和封測(cè)過程中，容易出現(xiàn)翹曲、開裂等問題。

封測(cè)過程，需要對(duì)晶圓進(jìn)行劃片、貼片、鍵合、檢驗(yàn)等一系列工藝，涉及到對(duì)“裸晶”的高頻、高速、精準(zhǔn)“拾取”的操作。因此，更先進(jìn)的貼片機(jī)、固晶機(jī)、鍵合機(jī)等封測(cè)設(shè)備是降低“破片率”，提高封裝良率的關(guān)鍵，能有效降低第三代半導(dǎo)體器件應(yīng)用成本。

我國半導(dǎo)體封測(cè)方面實(shí)力較強(qiáng)，但先進(jìn)封測(cè)設(shè)備國產(chǎn)化較低。電機(jī)是封測(cè)設(shè)備的核心部件之一，直接影響貼片精度、成品良率。

為解決我國封測(cè)設(shè)備長期受國外技術(shù)“卡脖子”的問題，國奧科技自主研發(fā)的高精度電機(jī)，ZR雙軸集成，致力于為國內(nèi)封測(cè)設(shè)備廠商提供更柔性的、高精度、高效率的封測(cè)方案，已然成為推動(dòng)第三代半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用的中堅(jiān)力量。